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壓敏電阻交流作用下的老化機理

交流作用下。在正半周時，假設(shè)右側(cè)為正極性，電壓主要加在右側(cè)的耗盡層上，使右側(cè)的Zni向晶界遷移，而左側(cè)所加電壓很低，Zn

i向晶粒內(nèi)遷移不大；在負半周，電壓主要加在左側(cè)，使左側(cè)Zni向晶界遷移，右側(cè)這時所加電壓很低，Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大。總的結(jié)果是左右兩側(cè)的Zni都向晶界遷移。

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壓敏電阻的物理特性：

ＺｎＯ　壓敏電阻的非線性是一種晶粒邊界現(xiàn)象，即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數(shù)電荷載流子（電子）的勢壘。認 為肖特基勢壘像　ＺｎＯ　微結(jié)構(gòu)中晶粒邊界勢壘。晶粒邊界 上的負表面電荷（電子捕獲）是由晶界面兩側(cè)晶粒的耗盡 層的正電荷來補償?shù)摹犭娮影l(fā)射和隧道效應(yīng)是主要的傳 輸機制。 近發(fā)展的壓敏電阻勢壘的晶粒邊界缺陷模型在改進 穩(wěn)電壓應(yīng)力下，壓敏電阻的穩(wěn)定性上取得了很大進展。

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