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低壓ZnO壓敏電阻的特性與晶界的結(jié)構(gòu)狀態(tài)有密切關(guān)系，關(guān)于壓敏電阻的顯微結(jié)構(gòu)，人們也以Bi系ZnO壓敏電阻為基礎(chǔ)，建立了不同的模型進(jìn)行研究，如微電阻模型，即將壓敏電阻等效為包含在多晶材料中的分立的晶界，還有運(yùn)用薄膜技術(shù)制造的單結(jié)等來模擬ZnO

壓敏陶瓷的顯微結(jié)構(gòu)材料中主要的相是半導(dǎo)化的ZnO晶粒，許多ZnO晶粒直接接觸，晶粒間沒有其它相，形成了雙ZnO-ZnO晶界(同質(zhì)結(jié))。由于Bi等大尺寸離子在晶界偏析，改變了晶界的結(jié)構(gòu)，電流通過這些晶界，這些晶界稱為電活性晶界，電活性晶界是決定壓敏電阻性質(zhì)的關(guān)鍵。在三個(gè)晶粒的交界處，有時(shí)在兩個(gè)晶粒（可能有特殊取向）之間，存在粒間相，粒間相在導(dǎo)電過程中大多是電學(xué)非活性的。該相主要包括各種添加物形成的化合物。陶瓷材料中的所有成分都可以溶解在粒間相中，在燒結(jié)過程中，晶粒交界處可能形成尖晶石晶體，但是它們不參與導(dǎo)電過程。氧化物的改性添加可以改變晶粒電導(dǎo)或晶界的結(jié)構(gòu)及化學(xué)狀態(tài)，尤其是偏析于晶

界的雜質(zhì)對晶界活性有很大的影響，因而適當(dāng)?shù)膿诫s選擇對形成和改善非線性起著很重要的作用，而且晶界勢壘是ZnO壓敏陶瓷燒結(jié)時(shí)在高溫冷卻過程中形成的，燒結(jié)工藝直接影響雜質(zhì)缺陷在晶界中的分布，從而影響晶界化學(xué)結(jié)構(gòu)。另外，低壓ZnO壓敏電阻的晶粒尺寸要足夠大，單位厚度的晶界數(shù)少，因此低壓壓敏電阻對顯微結(jié)構(gòu)的波動(dòng)尤其敏感，工藝對低壓壓敏電阻壓敏特性的作用也不可忽視。

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壓敏電阻的物理特性：

ＺｎＯ　壓敏電阻的非線性是一種晶粒邊界現(xiàn)象，即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數(shù)電荷載流子（電子）的勢壘。認(rèn) 為肖特基勢壘像　ＺｎＯ　微結(jié)構(gòu)中晶粒邊界勢壘。晶粒邊界 上的負(fù)表面電荷（電子捕獲）是由晶界面兩側(cè)晶粒的耗盡 層的正電荷來補(bǔ)償?shù)摹犭娮影l(fā)射和隧道效應(yīng)是主要的傳 輸機(jī)制。 近發(fā)展的壓敏電阻勢壘的晶粒邊界缺陷模型在改進(jìn) 穩(wěn)電壓應(yīng)力下，壓敏電阻的穩(wěn)定性上取得了很大進(jìn)展。

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