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上升區：當過電壓很大，使得通過壓敏電阻器的電流大于約100A/cm2時，壓敏電阻器的伏安特性主要由晶粒電阻的伏安特性來決定。此時壓敏電阻器的伏安特性呈線性電導特性，即：I=V/Rg 上升區電流與電壓幾乎呈線性關系，壓敏電阻器在該區域已經劣化，

失去了其抑制過電壓、吸收或釋放浪涌的能量等特性。根據壓敏電阻器的導電機理，其對過電壓的響應速度很快，如帶引線式和專用電極產品，一般響應時間小于25納秒。因此只要選擇和使用得當，壓敏電阻器對線路中出現的瞬態過電壓有優良的抑制作用，從而達到保護電路中其它元件免遭過電壓破壞的目的。

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氧化鋅壓敏電阻的缺陷：

ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價和正二價的Zni和Vo，負一價和負二價的

VZn ，正一價的DZn。VZn主要在晶界處，VZn為受主態，使晶粒表面形成一電子耗盡層而產生勢壘，約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩態，是老化產生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高溫時原子運動加劇，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷卻過程中容易從空氣中吸收氧而消失。

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