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ZnO壓敏電阻器的結構：

晶粒體為電阻率很低的半導體，晶界為絕緣體，類似邊界層電容器，另在晶界形成兩背靠背的肖特基勢壘。因鄰近晶粒的取向不同，兩晶粒交界處結構松弛，雜質占據這些位置比占據體內晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。

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壓敏電壓U1mA

壓敏電阻的電流為1mA時所對應的電壓作為I隨U迅速上升的電壓大小的標準，該電壓用U1mA表示，稱為壓敏電壓。壓敏電壓是ZnO壓敏電阻器伏安曲線中預擊穿區和擊穿區轉折點的一個參數，一般情況下是一般情況下是1mA（Φ5 產品為0.1mA）直流電流通過時，產品的兩端的電壓值，其偏差為±0.1%。

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