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ZnO壓敏電阻器的結(jié)構(gòu)：

晶粒體為電阻率很低的半導(dǎo)體，晶界為絕緣體，類似邊界層電容器，另在晶界形成兩背靠背的肖特基勢(shì)壘。因鄰近晶粒的取向不同，兩晶粒交界處結(jié)構(gòu)松弛，雜質(zhì)占據(jù)這些位置比占據(jù)體內(nèi)晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。

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ＺｎＯ　壓敏電阻的微觀結(jié)構(gòu)分析發(fā)現(xiàn)，形成的四個(gè)主要 成分是　ＺｎＯ、尖晶石、焦綠石和一些富　Ｂｉ　相（圖　３）。圖 中也指明了組分存在的部位，還存在一些用現(xiàn)有技術(shù)尚不 易檢測(cè)出來的其它次要相。 ＺｎＯ　壓敏電阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ　之間， 并且也總是伴有雙晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生長(zhǎng)，而　ＴｉＯ２　 和　ＢａＯ　則加速晶粒長(zhǎng)大。尖晶石和焦綠石相對(duì)晶粒長(zhǎng)大有 抑制作用。焦綠石相在低溫時(shí)起作用，而尖晶石相在高溫 時(shí)有利。當(dāng)用鹽酸浸蝕晶粒時(shí)，中間相呈現(xiàn)出在電性上絕 緣的三維網(wǎng)絡(luò)。 燒結(jié)形成的　ＺｎＯ　晶粒是　ＺｎＯ　壓敏電阻的基本構(gòu)成單純　ＺｎＯ　是具有線性　Ｉ－Ｕ　特性的非化學(xué)計(jì)量　ｎ　型半導(dǎo) 體。進(jìn)入　 ＺｎＯ　 中的各種添加物使其具有非線性。這些氧 化物中主要是　 Ｂｉ ２Ｏ３。這些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 邊界處形成原子缺陷，施主或類施主缺陷支配著耗盡層， 而受主和類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態(tài)。相關(guān)的缺陷類 型是鋅空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙鋅

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