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ZnO壓敏電阻陶瓷的性能是壓敏陶瓷中為優(yōu)異的一種。近年來，由于電子設(shè)備向小型化、多功能化發(fā)展，集成電路的集成速度和密度不斷提高，為了使電子線路免遭浪涌電壓的破壞，在低壓領(lǐng)域內(nèi)對壓敏電阻器的應(yīng)用也提出了越來越高的要求，因此ZnO的低壓化成為研究的熱點。為了尋求一個相對合適的ZnO壓敏陶瓷的低壓化配方，并且將所學(xué)專業(yè)理論知識與實際相結(jié)合，經(jīng)文獻查閱，我們設(shè)計了添加劑的量依次適當(dāng)增加的四組平行實驗來進行研究。本文首先簡析了ZnO壓敏陶瓷材料的概念、結(jié)構(gòu)、研究現(xiàn)狀及壓敏電阻的性能參數(shù)，并詳細(xì)解釋了其導(dǎo)電機理。同時對制備ZnO壓敏陶瓷的基本工藝流程做了初步的了解，通過熱分析的實驗和老師的指導(dǎo)得出，燒結(jié)溫度分別為1160℃、1180℃，1200℃三個溫度下保溫2h的燒結(jié)條件。

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峰值能量Em

峰值能量Em是指壓敏電阻能夠耗散的規(guī)定波形的浪涌電流或脈沖電流的能量。峰值能量是產(chǎn)品能夠承受規(guī)定次數(shù)的

2ms方波或10/1000us脈沖電流峰值，這是用戶選擇防護操作電壓用ZnO壓敏電阻器時的重要參考值。

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