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1.半導體器件損壞的特點      

三極管的損壞一般是PN結擊穿或開路，其中以擊穿短路居多。此外還有兩種損壞表現：

一是熱穩定性變差，表現為開機時正常，工作一段時間后，發生軟擊穿;

另一種是PN結的特性變差。      

2.半導體器件的檢測方法     用萬用表R×1k測，各PN結均正常，但上機后不能正常工作，如果用R×10或R×1低量程檔測，就會發現其PN結正向阻值比正常值大。測量二、三極管可以用指針萬用表在路測量，較準確的方法是：將萬用表置R×10或R×1檔(一般用R×10檔，不明顯時再用R×1檔)在路測二、三極管的PN 結正、反向電阻，如果正向電阻不太大(相對正常值)，反向電阻足夠大(相對正向值)，表明該PN結正常，反之就值得懷疑，需焊下后再測。這是因為一般電路的二、三極管外圍電阻大多在幾百、幾千歐以上，用萬用表低阻值檔在路測量，可以基本忽略外圍電阻對PN結電阻的影響。

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壓敏電壓UN（U1mA）：通常以在壓敏電阻上通過1mA直流電流時的電壓來表示其是否導通的標志電壓，這個電壓就稱為壓敏電壓UN。壓敏電壓也常用符號U1mA表示。壓敏電壓的誤差范圍一般是±10%。在試驗和實際使用中，通常把壓敏電壓從正常值下降10%作為壓敏電阻失效的判據。

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