壓敏電阻、防雷壓敏|抗干擾、片狀壓敏電阻：

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介電特性：

壓敏電阻器類似一邊界層電容器，視在介電常數很高。介電常數和介電損耗與頻率，溫度和所加的電壓有關，在30-106°C的溫度范圍內，介電常數隨溫度升高而增大；介電常數隨頻率升高而下降；電容在低電場區域隨所加電壓的增加而降低，進入中電場區域隨電壓增大而急劇上升。

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低電場區域的漏電流

漏電流包括阻性和容性兩部分，交流電壓下容性電流比阻性電流大得多。溫度升高或電場增大，阻性電流增大。壓敏電壓的溫度系數在-10-4/℃—-10-3/℃之間，計算公式如下：

T=dU1mA/(U1mAdT)

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ZnO壓敏電阻器的結構：

晶粒體為電阻率很低的半導體，晶界為絕緣體，類似邊界層電容器，另在晶界形成兩背靠背的肖特基勢壘。因鄰近晶粒的取向不同，兩晶粒交界處結構松弛，雜質占據這些位置比占據體內晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。

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