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壓敏電壓和電阻器厚度的關系：

對ZnO壓敏電阻器，加在每晶界上的電壓約為3.5V，所以當晶粒大小一定時，壓敏電阻器越厚，壓敏電壓越高，關系如下：

U=UgbNgt , E0.5=U/t

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電容量C0

壓敏電阻在導通前的電阻值很大，可視為電介質材料，兩個電極之間存在著pF級的電容在工頻下，如此之小的電容對被保護電路的正常工作幾乎沒有任何影響，但在高頻或數字線路中，如不考慮壓敏電阻的電容量，有時會造成信號失真或產生諧振。因此生產廠家應向用戶提供壓敏電阻的電容量參考數據（一般以峰值或典型值的方式），以便用戶設計電路時參考。

源林電子是一家專業研發、生產壓敏電阻的高科技電子元器件企業。主營壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發團隊，廠家直銷！

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老化機理：

曾經被認為是老化的起因的有電子陷阱，偶極子轉向，氧脫附和離子遷移，目前能證實的只有填隙鋅離子遷移。一般認為老化是晶界現象，是由于耗盡層內離子遷移，而Zni是主要的遷移離子。

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