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zno壓敏電阻是半導體電子陶瓷器件，主要功能是 識別和限制瞬態(tài)過電壓，反復使用而不損壞。它的電流 （Ｉ）—電壓（Ｕ）特性是非線性的，與穩(wěn)壓二極管相似。 但與二極管不同，壓敏電阻能限制的過電壓在兩個極性上 相等，于是呈現(xiàn)的　 Ｉ－Ｕ　 特性很象兩個背對背的二極管。 壓敏電阻能用于交流和直流電場，電壓范圍從幾伏到幾千 伏，電流范圍從毫安到幾千安。壓敏電阻還附加有高能量 吸收能力的特性，范圍從幾焦耳到幾千焦耳。它的通用性 使得壓敏電阻在半導體工業(yè)和電力工業(yè)都有應用。 ＺｎＯ　壓敏電阻是用半導體　ＺｎＯ　粉末和其它氧化物粉末 如：Ｂｉ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ　等經(jīng)過混合、壓型和燒 結工藝而制成。得到的產(chǎn)品是具有晶界特性的多晶陶瓷， 這一邊界特性決定了壓敏電阻的非線性　Ｉ－Ｕ　特性。 ＺｎＯ　壓敏電阻的基本特性包括電學特性、物理特性和 化學特性。微觀結構是體現(xiàn)這些性質的媒介，是　ＺｎＯ　壓敏 電阻的基礎。

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壓敏電壓U1mA

壓敏電阻的線性向非線性轉變的電壓轉變時，位于非線性的起點電壓正好在I-V曲線的的拐點上，該電壓確定為元件的啟動電壓，也稱為壓敏電壓，是由阻性電流測試而得的。由于I-V曲線的轉變點清晰度不明顯，多數(shù)情況下是在通1mA電流時測量的，用U1mA來表示。對于一定尺寸規(guī)格的ZnO壓敏電阻片，可通過調節(jié)配方和元件的幾何尺寸來改變其壓敏電壓。亦有使用10mA電流測定的電壓作為壓敏電壓者，以及使用標稱電流測試者，標稱電壓定義為0.5mA/cm2，電流密度測定的電場強度E0.5表示，對于大多數(shù)壓敏電阻器而言，這個值更接近非線性的起始點。3. 漏電流IL壓敏電阻器進入擊穿區(qū)之前在正常工作電壓下所流過的電流，稱為漏電流IL。漏電流主要由三部分貢獻：元件的容性電流，元件的表面態(tài)電流和元件晶界電流。一般對漏電流的測量是將0.83倍U1mA的電壓加于壓敏電阻器兩端，此時流過元件的電流即為漏電流。根據(jù)壓敏電阻器在預擊穿區(qū)的導電機理，漏電流的大小明顯地受到環(huán)境溫度的影響。當環(huán)境溫度較高時，漏電流較大；反之，漏電流較小。可以通過配方的調整及制造工藝的改善來減小壓敏電阻器的漏電流。研究低壓元件的漏電流來源是很重要的，為了促進ZnO晶粒的長大，低壓元件中通常會添加大量的TiO2，過量摻雜造成壓敏元件漏電流增大[6]～[9]，在元件性能測試時容易引入假象，例如壓敏電壓和啟動電壓偏離較大。測試元件的非線性時，我們希望漏電流以通過晶界的電流為主。但低壓元件普遍存在吸潮現(xiàn)象，初燒成的低壓元件漏電流可以保持在4～20μA內(nèi)，放置8～24h后，元件的漏電流可以增大到200μA。這樣的元件的晶界非線性并沒有被破壞，但卻表現(xiàn)出非線性低，壓敏電壓也稍有降低的表象。

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連續(xù)工作電壓MCOV

連續(xù)工作電壓MCOV指的是壓敏電阻在應用時能長期承受的直流電壓UDC或交流電壓有效值URMS直流電壓的值為80%~92%U1mA，或產(chǎn)品在85℃下，正常工作1000h，施加的直流電壓；交流電壓的值為60%~65%U1mA，或產(chǎn)品在85℃下，正常工作1000h，施加的交流電壓。

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