過壓保護|防雷(圖)|認證防浪涌電阻|防浪涌電阻：

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通流容量：

通流容量是指施加規定波形的沖擊電流和沖擊次數，沖擊后壓敏電壓的變化小于或等于規定值時所能通過的電流。它和脈沖幅度，脈沖持續時間及應用中所要承受的脈沖次數有關，可從降額曲線中查得。測量時一般施加8*20μs或2ms的方波。

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電壓比與殘壓UR

電壓比指壓敏電阻器的電流為1mA時產生的電壓值與壓敏電阻器的電流為0.1mA時產生的電壓值之比。

殘壓UR是指特定波形的浪涌電流流入壓敏電阻器時，它兩端電壓的峰值。一般來說，流入壓敏電阻器的浪涌電流的峰值都在1mA以上，對通用壓敏電阻和防雷型壓敏電阻而言，所謂特定波形指的是IEC本60060-2: 1973標準規定的8/20 μs標準雷電流波形。

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ZnO壓敏電阻器的結構：

晶粒體為電阻率很低的半導體，晶界為絕緣體，類似邊界層電容器，另在晶界形成兩背靠背的肖特基勢壘。因鄰近晶粒的取向不同，兩晶粒交界處結構松弛，雜質占據這些位置比占據體內晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。

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