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老化機理：

曾經被認為是老化的起因的有電子陷阱，偶極子轉向，氧脫附和離子遷移，目前能證實的只有填隙鋅離子遷移。一般認為老化是晶界現象，是由于耗盡層內離子遷移，而Zni是主要的遷移離子。

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老化的表現：

老化是指在各種外加應力及外界因素作用下，其性能及電氣物理參數發生改變，逐步偏離其起始性能指標。ZnO壓敏電阻器老化后的I-V特性，老化主要集中在預擊穿區，而擊穿區的老化較小，表現為I-V特性曲線在低電場區向右偏移，阻性電流加大，功率損耗增大，壓敏電壓下降。直流電壓作用后的老化，I-V特性不對稱；交流電壓作用下的老化。另老化后電容量減小，介電損耗增大。

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電壓比與殘壓UR

電壓比指壓敏電阻器的電流為1mA時產生的電壓值與壓敏電阻器的電流為0.1mA時產生的電壓值之比。

殘壓UR是指特定波形的浪涌電流流入壓敏電阻器時，它兩端電壓的峰值。一般來說，流入壓敏電阻器的浪涌電流的峰值都在1mA以上，對通用壓敏電阻和防雷型壓敏電阻而言，所謂特定波形指的是IEC本60060-2: 1973標準規定的8/20 μs標準雷電流波形。

源林電子的壓敏電阻器廣受贊譽，可靠性高、性價比高，具有很強的市場競爭力，想了解更多溫度傳感器資料，歡迎來電咨詢！

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